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通过对160个厘米级FETs的统计分析表明，先锋器件成品率94%、迁移率变化为15%，由此进一步证明了C/A蓝宝石上的单晶MoSe2。岗接国同公司（c）C/A（红色）和C/M（蓝色）底物上反平行结构域的统计分布。

此外，业求英两该方法还可以生长MoSe2单晶，表明其可以推广到其它许多2D材料。【图文解读】图一、助后蓝宝石（0001）基底与外延生长的关系（a,d）C/M和C/A蓝宝石（0001）晶片上的台阶取向以及相应的外延MoS2畴对齐。蓝宝石（晶状α-Al2O3）在III-V半导体工业中被广泛用作外延基底，天中其有一个六边形晶格，平面内a=b=4.76Å，平面外c=12.996Å，由六层交替的Al-O-Al原子组成。

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先锋（b）AFM振幅图像说明畴边缘和表面台阶之间的关系。

（b）151个MoS2FET的传输特性，岗接国同公司距离（a）中标记区域的沟道长度为50μm。研究者发现当材料中引入硒掺杂时，业求英两锂硫电池在放电的过程中长链多硫化物的生成量明显减少，业求英两从而有效地抑制了多硫化物的穿梭效应，提高了库伦效率和容量保持率，为锂硫电池的机理研究及其实用化开辟了新的途径。

目前，助后国内的同步辐射光源装置主要有北京同步辐射装置，助后（BSRF，第一代光源），中国科学技术大学的合肥同步辐射装置（NSRL，第二代光源）和上海光源（SSRF，第三代光源），对国内的诸多材料科学的研究起到了巨大的作用。因此能深入的研究材料中的反应机理，天中结合使用高难度的实验工作并使用原位表征等有力的技术手段来实时监测反应过程，天中同时加大力度做基础研究并全面解释反应机理是发表高水平文章的主要途径。

利用原位TEM等技术可以获得材料形貌和结构实时发生的变化，出新如微观结构的转化或者化学组分的改变。近日，党员到企王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。